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SiC晶圓表面載流子濃度檢測

SiC晶圓表面載流子濃度檢測
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技術參數:

1)測試模式: MOS、Schottky

2)樣品尺寸:直徑≤200mm,非標樣品或者碎片最小測試尺寸30mm X 30mm

3)外延層載流子濃度測試范圍:1E14-5E18 cm-3

4)單點測試面積:0.018-0.027 cm2

5)汞接觸面積重復性: 1sigma <0.5%

詳情請聯系銷售部吳經理15225822566