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類目 |
典型值 |
典型值 |
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晶型 / 尺寸 |
4H / 4或6英寸 |
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CMP晶面 |
(0001)Si晶面 |
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偏角 |
偏[11-20]4度 |
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導電性 |
n型 |
p型 |
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摻雜 |
氮 |
鋁 |
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載流子濃度 |
范圍 |
1E14 ~ 5E15cm-3 |
2E14 ~ 5E17cm-3 |
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容忍度 |
±15% |
±25% |
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均勻度 |
≤6% |
≤15% |
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厚度 |
范圍 |
20 ~ 200 μm |
20 ~ 200 μm |
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容忍度 |
± 6 % |
± 6 % |
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均勻度 |
≤ 2% |
≤ 2% |
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表面缺陷密度 |
≤1 cm-2 |
≤ 1 cm-2 |
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表面粗糙度 |
≤ 1 nm |
≤ 2 nm |
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注釋：
厚度及載流子濃度測試方法通常為9點（去邊=5mm)（如圖），客戶可指定測試方法。
①載流子濃度使用MCV測試儀進行測量。
②厚度使用紅外光譜儀進行測量。
③表面缺陷包含彗星缺陷、三角形缺陷、胡蘿卜缺陷以及掉落物。
④表面粗糙度使用原子力顯微鏡進行測量，掃描尺寸為10×10 μm2。
*注：我司可根據客戶定制參數更嚴格的外延片。