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液相法4H-p型襯底和3C襯底外延

液相法4H-p型襯底和3C襯底外延
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類目

典型值

晶型 / 尺寸

4H-p3C   46英寸

CMP晶面

(0001)Si晶面

偏角

[11-20]4

導電性

n / p

摻雜

 / 

載流子濃度

范圍

1E15 ~ 5E16 cm-3

 

容忍度

±15%

 

均勻度

≤10%

厚度

范圍

5 ~ 100 μm

 

容忍度

±10%

 

均勻度

≤4%

表面粗糙度

≤ 2  nm

注釋:

厚度及載流子濃度測試方法通常為9點(去邊=5mm)(如圖),客戶可指定測試方法。

① 載流子濃度使用MCV測試儀進行測量。
② 厚度使用紅外光譜儀進行測量。
③ 表面粗糙度使用原子力顯微鏡進行測量,掃描尺寸為10×10 μm2
*注:我司可根據客戶定制參數更嚴格的外延片。