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我司配備針對SiC晶片的各種先進檢測設備，可提供SiC晶片膜厚、載流子濃度、粗糙度等檢測與分析服務

技術指標:

1.光譜分辨率:優于0.25cm^-1

2.干涉儀:平面鏡(非立體角鏡)電磁驅動，具有13萬次或以上連續動態調整功能

3.光譜范圍:7800-350cm^-1

4.靈敏度:優于50000:1(峰-峰值，4cm-1分辨率，1分鐘掃描，DTGS檢測器)

5.波數精度:0.005cm^-1

6.樣品尺寸:直徑≤15mm

詳情請聯系銷售部吳經理15225822566