北京晶格領域半導體有限公司(以下簡稱“晶格領域”)近日獲得了北京市政府投資基金的重點投資。這一重大利好將進一步加速公司在液相法碳化硅(SiC)襯底的研發和生產進程,助力其成為國內領先的第三代半導體材料供應商。
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碳化硅(SiC)因其優異的性能,成為電動汽車、光伏和軌道交通等領域的重要材料。特別是n溝道絕緣柵雙極型晶體管(n-IGBT)因其高電壓和低導通電阻性能,廣泛應用于基于4H-SiC的器件。
2024年6月5日-7日,2024寬禁帶半導體先進技術創新與應用發展高峰論壇盛大召開。