中科匯珠的主要產(chǎn)品為碳化硅外延片，可用于制作中高壓SiC功率器件，包括SBD/JBS、MOSFET 、PiN等。
目前公司已成熟掌握自主研發(fā)的碳化硅外延核心關鍵技術，產(chǎn)品通過下游器件廠商的多輪流片驗證，質量和性能均獲得了客戶的高度認可，已具備碳化硅外延的量產(chǎn)能力。
中科匯珠協(xié)同國內優(yōu)質襯底資源，致力于為客戶提供優(yōu)質的外延片生長服務，一文帶您了解中科匯珠特色外延產(chǎn)品。
產(chǎn)品一：基于傳統(tǒng)n型4H-SiC襯底的外延片
亮點介紹：中科匯珠已掌握高質量SiC外延片的量產(chǎn)關鍵技術，外延片的膜厚和載流子濃度面內及片間均勻性已達到國內優(yōu)質水平，缺陷控制技術比肩國內外主流外延廠商。
對于外延片兩個關鍵參數(shù)厚度和載流子濃度，目前n型4H-SiC襯底的外延片批量工藝水平如下：面內厚度均勻性≤3%，面內載流子濃度均勻性≤5%，厚度容差為±6%，濃度容差為±10%。
中科匯珠自2021年以來陸續(xù)通過了4吋650V/10A規(guī)格肖特基二極管（SBD）、6吋650V/60mW規(guī)格金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）、6吋1200V/30A規(guī)格SBD以及6吋1200V/26mW規(guī)格MOSFET的流片驗證，良率比肩國內優(yōu)質水平，量產(chǎn)SiC外延片的質量獲得了下游頭部器件廠商的高度認可。
中科匯珠6吋外延片
4/6吋外延片規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品二：基于液相法4H-SiC和3C-SiC的外延片
傳統(tǒng)PVT法無法制備高質量低阻p型（摻Al）4H-SiC和3C-SiC襯底，而液相法已突破相應制備技術，將此前遙不可及的器件制造變得觸手可及。p型SiC襯底主要應用于制造n溝道IGBT器件，該類器件在軌道交通和電網(wǎng)等領域具有重要的應用價值。得益于高溝道遷移率，在1200V以下耐壓規(guī)格3C-SiC基MOSFET擁有極好的性能優(yōu)勢，尤其是其很低的溝道電阻和極高的柵氧穩(wěn)定性，使其可以兼顧導通電阻和器件可靠性，因此在車規(guī)級應用上有巨大應用前景。
晶格領域采用液相法生長的4吋晶錠及襯底。
其中a和b分別為液相法生長的p型4H-SiC和n型3C-SiC晶錠，c為加工后的3C-SiC襯底。
液相法產(chǎn)品一描述
襯底類型: n型3C-SiC
標準尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型均可
主要應用：各種二極管，平面及溝槽MOSFET，SiC基高溫集成電路等。
液相法產(chǎn)品二描述
襯底類型: p型4H-SiC
標準尺寸: 4吋/6吋
外延層: n型或p型
主要應用：各類高壓/超高壓二極管、n溝道IGBT、SiC基光電探測器等。
