摘自中國新聞網:來自中國科學院微電子研究所的最新消息說,該所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應用工程與技術中心劉彥民團隊等開展合作,共同研制出首款國產高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統,已成功通過太空第一階段驗證并實現其在電源系統中的在軌應用。
作為第三代寬禁帶半導體材料,SiC(碳化硅)憑借其優異的物理和電學特性,尤其在高頻、高壓和大功率半導體器件中展現出廣泛的應用前景。
北京晶格領域半導體有限公司(以下簡稱“晶格領域”)近日獲得了北京市政府投資基金的重點投資。這一重大利好將進一步加速公司在液相法碳化硅(SiC)襯底的研發和生產進程,助力其成為國內領先的第三代半導體材料供應商。
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